IC装备制造业，被业内人士称为装备制造业的“珠穆朗玛峰”。
IC即集成电路，是电子设备中最重要的部分，承担着运算和存储的功能，是计算机业、数字家电业、通信等行业的“心脏”。12英寸PECVD技术，则被业内人士称为珠穆朗玛峰的“主峰”。这项技术一直被欧美以及日本等国家所垄断，技术难度大，单台价值高(300万美元/台)，设备进口受到发达国家的严格限制。
一名党员一面旗，一个支部一盏灯。党的十八届三中全会指出，创新基层党建工作，健全党的基层组织体系，充分发挥基层党组织的战斗堡垒作用，引导广大党员积极投身改革事业。
近年来，沈阳拓荆公司借助基层党建助力，率先登上了“珠穆朗玛峰”主峰，自主开发出2-12英寸PECVD三个完整系列产品，广泛用于半导体集成电路前道、后道封装的市场，100%占领了国内TSV领域新产品市场。
如今的拓荆公司已经成了“中国制造2025”在辽沈大地上的微缩样本。拓荆公司已经发展成为具有世界先进技术的极大规模集成电路专用薄膜设备高新技术企业，矢志成为世界纳米级薄膜制造技术解决方案的领导者。
突破垄断
助力“中国芯”迈上新台阶
我国是全球最大电子制造国，却长期饱受“缺芯之痛”，关键装备基本依赖进口。正因为如此，《中国制造2025》明确提出“推动集成电路及专用装备发展”，把集成电路产业放在重点聚焦发展的十大领域的首位，以求实现突破。
PECVD设备是集成电路四大核心设备之一，设备需求占到产线的19%。其核心技术是利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅片上“长”出一层层固态薄膜，而成膜的速度和薄膜的质量直接影响着芯片的产能和良率。该技术长期完全被美日垄断，进口严重受限。
2005年，旅居海外、任美国第二大IC装备企业技术副总裁的姜谦博士，在美邂逅了中科院和沈阳市政府的招商团。从那一刻起，他作出了回国创业、带领中国IC装备制造业打破封锁、突出重围的重大人生决定。2010年，在辽宁省及沈阳市、浑南区政府支持下，姜谦领衔的拓荆公司正式成立，向国际巨头垄断的大规模集成电路专用薄膜设备生产发起挑战。
几年过去了，在向世界科技高峰的攀登中，拓荆交出了令业内吃惊的答卷：2英寸PECVD设备被列为国家重点新产品，各项技术性能指标、工艺指标全部达到了国际一流设备水平，设备国产化率超过70%，产能是进口设备的1.1倍，成本却比进口设备低了30%，一举打破了国际垄断，填补了国内空白。
不久前，拓荆所产的12英寸PECVD设备，累计在线加工量突破10万片，产品合格率达到100%。这标志着我国国产高端IC装备实现重大突破，开始全面进入市场，助力“中国芯”迈上新台阶。拓荆公司不仅实现设备国产化，还使价格比进口降低30%多，有效提升了我国IC制造装备的市场竞争力。
跨越发展
打造中国最大薄膜设备基地
在拓荆公司，听不到机器的轰鸣，看不到壮观的设备。透过密闭的玻璃窗，记者看到，在不大的工区内无比洁净，穿戴防护装备的技术人员，正在生产线上紧张忙碌。
但这间安静有序的“小公司”却拥有一系列令人瞩目的光环：国内唯一能够生产用于大规模集成电路生产线的12英寸PECVD设备的企业；两次承担国家科技重大专项；获得国家集成电路产业投资基金（简称“国家大基金”）2.7亿元战略投资；将建成国内最大的薄膜设备产业化基地……
如今，拓荆公司累计销售产品19台（套），其中12英寸设备7台（套），已销售至中芯国际、苏州晶方、武汉新芯、厦门联芯、华天科技、华进半导体等国内主流生产线和研发线，并在台联电厦门厂开始测试，将以此为战略堡垒，打入国际主流市场。
良好的市场反应，也吸引了社会资本的高度认可。2014年拓荆完成首轮6750万元增资，2015年更吸引了“国家大基金” 2.7亿元投资成为第一大股东，这也是“国家大基金”在辽宁投资的第一家企业、在全国投资的第二家装备企业。
隐形冠军
欲与国际巨头同台竞技
五年前，拓荆公司只是一家名不见经传的小公司，置身于沈阳市浑南区一处僻静小院，但投资仅3亿多元，历时短短四五载，就一举突破少数国际巨头的垄断，在全国首次实现大规模集成电路专用薄膜设备(PECVD设备)的量产，被誉为IC装备业界的“隐形冠军”。
现如今它却很难再“隐形”起来，每天不同肤色的客户在企业内穿梭洽谈，不时就有三五投资人上门沟通投资意向，工信部、发改委、人大、政协纷纷到企业调研。面对这些变化，具有几十年半导体行业经验的姜谦董事长明白，不仅是之前的努力得到了各方认可，更是国内集成电路产业驶入了快车道，在市场和政策的双重红利下，一个产业发展的“新引擎”即将在辽沈大地上发出轰鸣。
2015年拓荆公司投资建设国内最大的薄膜设备产业化基地，占地面积5.2万平方米，将于2016年10月入驻，建成后一期拥有100台套的生产能力，全部投产可达350台套的年生产能力。
同年，拓荆研制成功居世界领先地位的ALD原子层薄膜沉积技术与设备，在2016年已经实现销售；2016年拓荆又承担了国家十三五重大专项-《1x nm 3D NAND PECVD研发及产业化》，总投资5.2亿元，其中拓荆项目国拨0.59亿元，地方配套1.16亿元，力争四年内在新一代闪存领域使中国的薄膜设备达到国际前沿水平。
目前国内相关产业迎来爆发期，未来2年，将有7-9条几十亿甚至上百亿美金的集成电路生产线先后启动，几乎在每条新线上都有拓荆产品的一席之地。
如今的拓荆已经站在了高速路口，机遇与挑战并存，但也正如该公司的董事，具有35年行业经验的中微半导体设备有限公司董事长尹志尧所说：“拓荆已形成良好的辐射效应，即将形成爆发式增长，在未来，拓荆将打入国际市场，在擂台中央与国际一流的企业一较长短。”傅淞岩、林宽/文